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PSMN1R7-40YLDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
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- 描述
- 采用先进TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK56封装的200 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R7-40YLDX
- 商品编号
- C553236
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 194W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 连续 ID(\max) 额定值为200 A
- 雪崩额定,在 IAS = 180 A 时进行100%测试
- 强大的安全工作区(线性模式)额定值
- NextPower-S3技术实现“超快开关与软体二极管恢复”
- 低 QRR、QG 和 QGD,适用于高系统效率和低电磁干扰设计
- 具有低 VSD、低 QRR、软恢复和低 IDSS 泄漏的肖特基增强型体二极管
- 采用NextPower-S3超结技术,针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 高可靠性LFPAK(功率SO8)封装,采用铜夹和焊料芯片连接,可在175 °C下使用
- 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
-高性能同步整流-DC-DC转换器-高性能、高效率服务器电源-无刷直流电机控制-电池保护-负载开关和电子保险丝-浪涌管理、热插拔
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