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PSMN1R7-40YLDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
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- 描述
- 采用先进TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK56封装的200 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R7-40YLDX
- 商品编号
- C553236
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 194W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.69nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个1500个/圆盘
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