PSMN2R5-40YLDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R5-40YLDX
- 商品编号
- C553257
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.583nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用先进TrenchMOS超结技术、175 °C LFPAK56封装的120 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品专为高性能功率开关应用而设计并通过认证。
商品特性
- 连续 ID(\max) 额定值为160 A
- 雪崩额定值,在 IAS = 150 A 下进行100%测试
- 强大的安全工作区(线性模式)额定值
- NextPower-S3技术实现“超快开关与软体二极管恢复”
- 低 QRR、QG 和 QGD,适用于高系统效率和低EMI设计
- 具有低 VSD、低 QRR、软恢复和低 IDSS 泄漏的肖特基增强型体二极管
- 利用NextPower-S3超结技术,针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 高可靠性LFPAK(Power SO8)封装,采用铜夹和焊料芯片连接,可在175 °C下工作
- 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
-高性能同步整流-DC-DC转换器-无刷直流电机控制-电池保护-负载开关和电子保险丝
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