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PSMN3R3-40MLHX实物图
  • PSMN3R3-40MLHX商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN3R3-40MLHX

1个N沟道 耐压:40V 电流:118A

品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN3R3-40MLHX
商品编号
C553275
商品封装
SOT-1210​
包装方式
编带
商品毛重
0.151912克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)118A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)101W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.15V
栅极电荷量(Qg)54nC@10V
输入电容(Ciss)3.794nF
反向传输电容(Crss)222pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用先进的TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK33封装的118 A逻辑电平N沟道增强型MOSFET。该产品专为高开关频率的高效应用而设计并通过认证。

商品特性

  • 雪崩额定值,100%测试
  • NextPower-S3技术实现“超快开关与软体二极管恢复”
  • 低Qrr、QG和QGD,系统效率高,尤其在高开关频率下
  • 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
  • 高可靠性夹片键合和焊片连接Mini Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下使用
  • 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点且焊点质量高
  • 寄生电感和电阻低

应用领域

-次级侧同步整流-DC-DC转换器-无刷直流电机驱动-LED照明

数据手册PDF