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PSMN3R3-40MSHX实物图
  • PSMN3R3-40MSHX商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN3R3-40MSHX

1个N沟道 耐压:40V 电流:118A

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN3R3-40MSHX
商品编号
C553276
商品封装
SOT-1210​
包装方式
编带
商品毛重
0.151912克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)118A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)101W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)2.188nF
反向传输电容(Crss)115pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用先进TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK33封装的118 A标准电平N沟道增强型MOSFET。本产品专为高开关频率下的高效应用而设计并通过认证。

商品特性

  • 雪崩额定值,100%测试
  • NextPower-S3技术实现“超快开关与软体二极管恢复”
  • 低Qrr、QG和QGD,可提高系统效率,尤其在高开关频率下
  • 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
  • 高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装Mini Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下使用
  • 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点且焊点质量高
  • 低寄生电感和电阻

应用领域

-次级侧同步整流-DC-DC转换器-无刷直流电机驱动-LED照明

数据手册PDF