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PSMN3R9-60PSQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:130A
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- 描述
- 采用TrenchMOS技术、SOT78封装的标准电平N沟道MOSFET。该产品的设计和制造针对电池供电的电动工具应用进行了优化。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN3R9-60PSQ
- 商品编号
- C553288
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 263W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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