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PSMN5R2-60YLX
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56 (Power SO8)。该产品设计用于广泛的电源和电机控制设备。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN5R2-60YLX
- 商品编号
- C553306
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144827克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.319nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 277pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个1500个/圆盘
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