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PSMN5R6-60YLX
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 逻辑电平N通道MOSFET，采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56（Power SO8）。设计并认证可用于广泛的电源和电机控制设备中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN5R6-60YLX
- 商品编号
- C553311
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 253pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、封装为LFPAK56（Power SO8）的逻辑电平N沟道MOSFET。该产品经设计和认证，可用于广泛的电源和电机控制设备。
商品特性
- 先进的TrenchMOS技术,提供低导通电阻(RDSon)和低栅极电荷
- 逻辑电平栅极驱动
- 雪崩额定值,100%测试
- LFPAK封装在Power SO8封装中实现了最高功率密度
应用领域
- LLC拓扑中的同步整流器
- 输出电压(Vout)小于10 V的充电器和适配器
- 快速充电和USB-PD应用
- 电池供电的电机控制
- LED照明和电视背光源
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