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PSMN3R5-25MLDX

1个N沟道耐压:25V 电流:70A

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品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN3R5-25MLDX
商品编号: C553283
商品封装: SOT-1210
包装方式: 编带
商品毛重: 0.151912克(g)

商品参数

商品概述

逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK33封装。NextPowerS3系列利用Nexperia独特的“SchottkyPlus”技术，提供高效率、低尖峰性能，通常与带有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关联，但没有高泄漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率下的高效率应用。

应用领域

服务器和电信设备上的DC:DC解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
电压调节模块（VRM）
负载点（POL）模块
V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA及系统组件的电源传输
有刷和无刷电机控制

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	25V
	连续漏极电流(Id)	70A
	导通电阻(RDS(on))	3.72mΩ@10V,25A
	耗散功率(Pd)	65W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.73V
	栅极电荷量(Qg)	18.9nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.334nF@12V
	反向传输电容(Crss)	89pF@12V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)