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PSMN3R5-40YSDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 一款采用先进的TrenchMOS超结技术、采用175℃ LFPAK56封装的120 A标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过了相关认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN3R5-40YSDX
- 商品编号
- C553284
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.245nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 251pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用先进TrenchMOS超结技术、175 °C LFPAK56封装的120 A标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品专为高性能功率开关应用而设计并通过认证。
商品特性
- 120 A电流能力
- 雪崩额定值,在I(AS) = 120 A下100%测试
- NextPower-S3技术实现“超快速开关与软恢复”
- 低QRR、QG和QGD,实现高系统效率和低EMI设计
- 肖特基增强体二极管,实现软开关且无相关的高IDSS泄漏
- 低VSD类肖特基体二极管
- 更严格的VGS(th)限制,改善并联性能
- 宽安全工作区(SOA),确保可靠的线性模式运行
- 高可靠性LFPAK(Power SO8)封装,铜夹、焊料芯片连接,可耐受175°C高温
- 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点并确保焊点质量
应用领域
- 同步整流
- DC-DC转换器
- 高性能和高效率电源
- 无刷直流电机控制
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