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PSMN3R9-100YSFX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN3R9-100YSFX

1个N沟道 耐压:100V 电流:120A

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描述
100 V标准电平栅极驱动MOSFET。可承受175℃高温,推荐用于工业和消费应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN3R9-100YSFX
商品编号
C553286
商品封装
LFPAK56E-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.142857克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))4.3mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)294W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)120nC@10V
输入电容(Ciss)7.73nF@50V
反向传输电容(Crss)75pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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