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PSMN3R9-100YSFX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN3R9-100YSFX

1个N沟道 耐压:100V 电流:120A

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描述
100 V标准电平栅极驱动MOSFET。可承受175℃高温,推荐用于工业和消费应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN3R9-100YSFX
商品编号
C553286
商品封装
LFPAK56E-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.142857克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))4.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)294W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)120nC@10V
输入电容(Ciss)7.73nF
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NextPower 100 V 标准电平栅极驱动 MOSFET。可在 175°C 环境下工作,推荐用于工业和消费类应用。

商品特性

  • 低反向恢复电荷(Qrr),提高效率并降低尖峰
  • 最大漏极电流(ID)120 A,具备可靠的连续电流额定值
  • 低栅极电荷(QG)× 导通电阻(RDSon)品质因数(FOM),适用于高效开关应用
  • 高雪崩能量额定值(Eas)
  • 具备雪崩能力且经过 100% 测试
  • 采用无卤且符合 RoHS 标准的 LFPAK56E 封装

应用领域

  • 交直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)同步整流器
  • 48 V 直流-直流(DC-DC)原边开关
  • 无刷直流(BLDC)电机控制
  • USB-PD 适配器
  • 全桥和半桥应用
  • 反激式和谐振拓扑结构

数据手册PDF