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PSMN2R6-30YLC,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R6-30YLC,115
- 商品编号
- C553259
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.435nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用LFPAK封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和认证，可用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 高可靠性Power SO8封装,可在175°C环境下使用
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,针对4.5V栅极驱动进行优化
- 超低QG、QGD和QOSS,可在高低负载下实现高系统效率
应用领域
-直流-直流转换器-锂离子电池保护-负载开关-电源“或”功能-服务器电源-同步整流器
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