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PSMN2R9-30MLC,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
- 描述
- 逻辑电平增强模式N沟道MOSFET，采用LFPAK33封装。本产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R9-30MLC,115
- 商品编号
- C553269
- 商品封装
- SOT-1210
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 91W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.419nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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