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PSMN3R2-30YLC,115
PSMN3R2-30YLC,115
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN3R2-30YLC,115
- 商品编号
- C553273
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
LFPAK 封装的逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET。本产品经设计和认证，适用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 高可靠性 Power SO8 封装,可在 175°C 环境下使用
- 低寄生电感和电阻
- 采用 NextPower 超结技术,针对 4.5V 栅极驱动进行优化
- 超低的 QG、QGD 和 QOSS,可在高低负载下实现高系统效率
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 负载开关
- 电源“或”操作
- 服务器电源
- 同步整流器
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