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PSMN2R5-60PLQ
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术。产品设计和制造针对电池供电的电动工具进行了优化。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R5-60PLQ
- 商品编号
- C553258
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 349W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 223nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.025nF |
优惠活动
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