我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
PSMN2R0-25MLDX实物图
  • PSMN2R0-25MLDX商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PSMN2R0-25MLDX

1个N沟道 耐压:25V 电流:70A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK33 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但不会出现有问题的高泄漏电流。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN2R0-25MLDX
商品编号
C553243
商品封装
SOT-1210​
包装方式
编带
商品毛重
0.151912克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))2.27mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)74W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)34.4nC@10V
输入电容(Ciss)2.49nF@12V
反向传输电容(Crss)167pF
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
类型N沟道
输出电容(Coss)1.132nF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 7折

    购买数量

    (1500个/圆盘，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个1500个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交3单