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PSMN2R0-40YLDX

1个N沟道耐压:40V 电流:180A

描述: 采用先进TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK56封装的180 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN2R0-40YLDX
商品编号: C553248
商品封装: LFPAK56(PowerSO-8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.158667克(g)

商品参数

商品概述

这款超结场效应晶体管（SJ-FET）MOSFET是采用Maple semi先进的多外延（Multi-EPI）技术生产的新一代高压器件。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。特别针对降低导通电阻和提供卓越的开关性能进行了优化。SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。

商品特性

连续 ID(\max) 额定值为180 A
雪崩额定值,在 IAS = 160 A 下进行100%测试
强大的安全工作区(SOA,线性模式)额定值
NextPower-S3技术实现“超快开关与软体二极管恢复”
低 Qrr、QG 和 QGD,适用于高系统效率和低电磁干扰(EMI)设计
具有低 VSD、低 Qrr、软恢复和低 IDSS 泄漏的肖特基增强型体二极管
采用NextPower-S3超结技术,针对4.5 V栅极驱动进行优化
高可靠性LFPAK(功率SO8)封装,采用铜夹和焊料芯片连接,工作温度可达175 °C
外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点且焊点质量高
低寄生电感和电阻

应用领域

-高性能同步整流-DC-DC转换器-无刷直流电机控制-电池保护-负载开关和电子保险丝-浪涌管理、热插拔

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	180A
	导通电阻(RDS(on))	2.1mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	166W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.73V
	栅极电荷量(Qg)	92nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.701nF
	反向传输电容(Crss)	181pF
	工作温度	-55℃~+175℃