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PSMN2R0-40YLDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
- 描述
- 采用先进TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK56封装的180 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R0-40YLDX
- 商品编号
- C553248
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 166W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.73V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.701nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 181pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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