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PSMN2R0-60PSRQ
PSMN2R0-60PSRQ
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R0-60PSRQ
- 商品编号
- C553251
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 338W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 192nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 835pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术、TO-220封装的标准电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品经过设计和鉴定，可在175°C环境下使用，适用于广泛的工业、通信和电源设备。
商品特性
- 低QG、QGD和QOSS,系统效率高
- 高可靠性TO-220封装
- 可在175°C环境下使用
- 可采用回流焊
应用领域
-服务器和电信稳压器-直流-直流、负载点和系统电源-电机控制-电源“或”功能-同步整流器-负载开关
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