温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN2R5-30YL,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R5-30YL,115
- 商品编号
- C553256
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144827克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.468nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为工业和通信应用设计并通过相关认证。
商品特性
- 低开关和传导损耗,效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- D类放大器
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 服务器电源
相似推荐
其他推荐
- PSMN2R5-40YLDX
- PSMN2R5-60PLQ
- PSMN2R6-30YLC,115
- PSMN2R6-60PSQ
- PSMN2R7-30BL,118
- PSMN2R8-25MLC,115
- PSMN2R8-40YSDX
- PSMN2R8-80BS,118
- PSMN2R9-25YLC,115
- PSMN2R9-30MLC,115
- PSMN3R0-60BS,118
- PSMN3R0-60ES,127
- PSMN3R0-60PS,127
- PSMN3R2-30YLC,115
- PSMN3R2-40YLDX
- PSMN3R3-40MLHX
- PSMN3R3-40MSHX
- PSMN3R3-60PLQ
- PSMN3R3-80ES,127
- PSMN3R4-30BLE,118
- PSMN3R5-25MLDX