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PSMN2R0-25YLDX

1个N沟道耐压:25V 电流:179A

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描述: 逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强模式 MOSFET，采用 LFPAK56 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “肖特基增强” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类似肖特基二极管的 MOSFET 相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN2R0-25YLDX
商品编号: C553244
商品封装: LFPAK56(PowerSO-8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144827克(g)

商品参数

商品概述

采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3系列产品，可实现高效、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。

商品特性

在I(AS) = 118 A条件下进行100%雪崩测试
超低的QG、QGD和QOSS,可实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
具有软恢复功能的超快开关
低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;在25°C时,类肖特基性能的漏电流小于1 μA
针对4.5 V栅极驱动进行优化
低寄生电感和电阻
高可靠性夹片键合和焊片连接的Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C环境下使用
可进行波峰焊接;外露引脚便于进行最佳目视焊接检查

应用领域

服务器和电信设备的板载DC:DC解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
电压调节模块(VRM)
负载点(POL)模块
V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
有刷和无刷电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	25V
	连续漏极电流(Id)	179A
	导通电阻(RDS(on))	2.09mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	115W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.68V
	栅极电荷量(Qg)	34.1nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.485nF
	反向传输电容(Crss)	152pF
	工作温度	-55℃~+175℃