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PSMN2R0-25YLDX
1个N沟道 耐压:25V 电流:179A
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- 描述
- 逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强模式 MOSFET，采用 LFPAK56 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “肖特基增强” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类似肖特基二极管的 MOSFET 相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R0-25YLDX
- 商品编号
- C553244
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144827克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 179A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.09mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.68V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
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