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PSMN1R0-25YLDX

1个N沟道耐压:25V 电流:100A

品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN1R0-25YLDX
商品编号: C553216
商品封装: SOT-669
包装方式: 编带
商品毛重: 0.135克(g)

商品参数

商品概述

采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。

商品特性

雪崩额定值,在IAS = 190 A下进行100%测试
极低的QG、QGD和QOSS,可实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
具有软恢复功能的超快速开关
低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;在25°C下漏电流<1 μA,具有类肖特基性能
针对4.5 V栅极驱动进行优化
低寄生电感和电阻
采用高可靠性夹片键合和焊片连接的Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下工作
可进行波峰焊;外露引脚便于进行最佳目视焊接检查

应用领域

服务器和电信设备的板载DC:DC解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
电压调节器模块(VRM)
负载点(POL)模块
V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供电
有刷和无刷电机控制
电源或门

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	25V
	连续漏极电流(Id)	240A
	导通电阻(RDS(on))	0.89mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	160W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V
	栅极电荷量(Qg)	71.8nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.308nF
	反向传输电容(Crss)	342pF
	工作温度	-55℃~+175℃