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PSMN1R5-30BLEJ
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R5-30BLEJ
- 商品编号
- C553226
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.784克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 401W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 228nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.934nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.168nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用D2PAK封装的逻辑电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。本产品经设计和认证，适用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 增强正向偏置安全工作区,实现卓越的线性模式操作
- 极低的导通电阻,降低传导损耗
应用领域
-电子保险丝-热插拔-负载开关-软启动
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