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PSMN1R6-30MLHX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN1R6-30MLHX

1个N沟道 耐压:30V 电流:160A

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN1R6-30MLHX
商品编号
C553232
商品封装
SOT-1210​
包装方式
编带
商品毛重
0.151912克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)106W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)3.554nF
反向传输电容(Crss)521pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。 NextPowerS3技术可实现低导通电阻(RDSon)、低漏电流(IDSS)和高效率。额定电流为160 A,针对直流负载开关和热插拔应用进行了优化。

商品特性

  • 针对低导通电阻(RDSon)进行优化
  • 在25°C时漏电流低于1 μA
  • 低尖峰和振铃,适用于低电磁干扰(EMI)设计
  • 针对4.5 V栅极驱动进行优化
  • 额定电流160 A
  • 采用高可靠性铜夹键合和焊片连接的LFPAK33封装
  • 可在175°C环境下工作
  • 外露引脚便于进行目视焊接检查

应用领域

  • 直流开关/负载开关
  • USB-PD和快速充电
  • 电池保护
  • 或门和热插拔
  • 交直流和直流-直流应用中的同步整流器
  • 有刷和无刷直流(BLDC)电机控制

数据手册PDF