PSMN1R7-30YL,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R7-30YL,115
- 商品编号
- C553235
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 109W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.057nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用LFPAK封装的逻辑电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。本产品经过设计和认证，适用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 先进的TrenchMOS技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷
- 提高开关电源转换器的效率
- 改善机械和热性能
- LFPAK封装在Power SO8封装中实现最大功率密度
应用领域
- 直流-直流转换器-锂离子电池保护-负载开关-电机控制-服务器电源
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