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PSMN1R0-40SSHJ

1个N沟道耐压:40V 电流:325A

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描述: 连续电流325 A，标准电平栅极驱动，采用LFPAK88封装的N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强”（SchottkyPlus）技术的NextPowerS3系列产品，可实现高效率和低尖峰性能，通常与集成肖特基二极管或类似肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现有问题的高漏电流。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用，以及高负载电流下的安全可靠开关
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN1R0-40SSHJ
商品编号: C553217
商品封装: SOT-1235
包装方式: 编带
商品毛重: 0.498克(g)

商品参数

商品概述

连续电流为325 A,标准电平栅极驱动,采用LFPAK88封装的N沟道增强型MOSFET。安世半导体(Nexperia)采用独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术的NextPowerS3系列产品,可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效、低尖峰性能,且不会出现有问题的高漏电流。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用,也适用于高负载电流下的安全可靠开关。

商品特性

具备325 A的连续电流能力
LFPAK88(8 x 8 mm)LFPAK风格的低应力外露式引脚框架,确保极致可靠性、最佳焊接效果并便于焊点检查
采用铜夹和焊片连接,实现低封装电感和电阻,以及高 ID(最大值)额定值
是D2PAK和 10 x 12 mm 无引脚封装类型的理想替代品
可在 175℃下使用
满足UL2595关于爬电距离和电气间隙的要求
具备雪崩额定值,经过100%测试
低 QG、QGD 和 QOSS,实现高效率,尤其在较高开关频率下
超快开关,体二极管软恢复,低尖峰和振铃,推荐用于低EMI设计
独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术,实现类肖特基开关性能和低 I\textDSS 泄漏
窄 VGS(th) 额定值,便于并联并改善电流分配
非常强的线性模式/安全工作区特性,可在高电流条件下实现安全可靠的开关

应用领域

-无刷直流电机控制-高功率AC-DC应用中的同步整流器,如服务器电源-电池保护-eFuse和负载开关-热插拔/浪涌电流管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	325A
	导通电阻(RDS(on))	0.62mΩ
	耗散功率(Pd)	375W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.4V
	栅极电荷量(Qg)	137nC@32V
	输入电容(Ciss)	7.373nF
	反向传输电容(Crss)	295pF
	工作温度	-55℃~+175℃