- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN1R5-25YL,115
PSMN1R5-25YL,115
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R5-25YL,115
- 商品编号
- C553225
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 465pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.28nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品经设计和认证,适用于工业和通信应用。
商品特性
- 低开关损耗和导通损耗,效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
-D类放大器-电机控制-直流-直流转换器-服务器电源
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