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PSMN1R5-25MLHX
1个N沟道 耐压:25V 电流:150A
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- 描述
- 逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK33封装。NextPowerS3技术可实现低导通电阻（RDS(on)）、低漏电流（IDSS）和高效率。额定电流为150 A，且针对快速开关应用优化了低栅极电阻（RG）
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R5-25MLHX
- 商品编号
- C553224
- 商品封装
- SOT-1210
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.81mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 106W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.73V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.167nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 552pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
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