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PSMN1R5-25MLHX
1个N沟道 耐压:25V 电流:150A
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- 描述
- 逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK33封装。NextPowerS3技术可实现低导通电阻（RDS(on)）、低漏电流（IDSS）和高效率。额定电流为150 A，且针对快速开关应用优化了低栅极电阻（RG）
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R5-25MLHX
- 商品编号
- C553224
- 商品封装
- SOT-1210
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.81mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.73V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.167nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 552pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。 NextPowerS3技术可实现低导通电阻（RDSon）、低漏电流（IDSS）和高效率。额定电流达150 A，并针对快速开关应用优化了低栅极电阻（RG）。
商品特性
- 针对低导通电阻(RDSon)和低栅极电阻(RG)进行优化
- 快速开关 - 降低开关损耗
- 强大的线性模式(SOA)额定值
- 25°C时漏电流低于1 μA
- 低尖峰和振铃,适用于低电磁干扰(EMI)设计
- 针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 连续漏极电流(ID)最大额定值为150 A
- 采用高可靠性铜夹键合和焊片连接的LFPAK33封装
- 可在175°C环境下工作
- 外露引脚便于进行目视焊接检查
应用领域
- 同步降压稳压器
- 交流 - 直流和直流 - 直流应用中的同步整流器
- 无刷直流(BLDC)电机控制
- 电子保险丝和电池保护
- 或门和热插拔
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