PSMN1R0-40ULDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:280A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R0-40ULDX
- 商品编号
- C553218
- 商品封装
- LFPAK56E-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.153571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 164W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 382pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SOT1023A，改进了爬电距离和电气间隙，以满足UL2595要求。采用先进的TrenchMOS超结技术，150°C LFPAK56封装的280安培、逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品专为高性能功率开关应用而设计并通过认证。
商品特性
- 改进爬电距离和电气间隙——满足UL2595要求
- 280 A电流能力
- 雪崩额定,在IAS = 190 A下100%测试
- NextPower-S3技术实现“软恢复超快速开关”
- 低QRR、QG和QGD,实现高系统效率和低EMI设计
- 肖特基增强型体二极管,实现软开关,且无相关的高IDSS泄漏
- 利用NextPower-S3超结技术,针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 高可靠性LFPAK(Power SO8)封装,铜夹、焊片连接,可在150°C下工作
- 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
-有刷和无刷电机控制-需要增强爬电距离和电气间隙以满足UL2595的电池供电设备
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