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PSMN041-80YLX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN041-80YLX

1个N沟道 耐压:80V 电流:25A

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描述
采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品经设计和认证,可用于广泛的工业、通信和家用设备。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN041-80YLX
商品编号
C553210
商品封装
LFPAK56(PowerSO-8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.162克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))41mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)64W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.1V
栅极电荷量(Qg)21.9nC@10V
输入电容(Ciss)1.18nF@25V
反向传输电容(Crss)54pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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