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- 焊盘图
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PSMN063-150D,118
PSMN063-150D,118
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN063-150D,118
- 商品编号
- C553213
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。该产品专为计算机、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低热阻,可实现更高的工作功率
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 快速开关特性,适用于高频应用
应用领域
-直流-直流转换器-开关模式电源
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