温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN015-100YLX
1个N沟道 耐压:100V 电流:69A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56 (Power SO8)。该产品设计用于广泛的电源和电机控制设备。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN015-100YLX
- 商品编号
- C547348
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.139nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 213pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 先进的TrenchMOS技术,具备低 RDSon 和低栅极电荷
- 逻辑电平栅极操作
- 雪崩额定值, 100 % 经过测试
- LFPAK封装在Power SO8封装中实现了最大功率密度
应用领域
- 电源设备中的同步整流
- 输出电压 V\text out < 10 V 的充电器和适配器
- 快速充电和USB - PD应用
- 电池供电的电机控制
- LED照明和电视背光源
相似推荐
其他推荐
- PSMN016-100BS,118
- PSMN016-100YS,115
- PSMN017-80BS,118
- PSMN018-100PSFQ
- PSMN019-100YLX
- PSMN020-30MLCX
- PSMN022-30BL,118
- PSMN025-80YLX
- PSMN027-100BS,118
- PSMN028-100YS,115
- PSMN030-150P,127
- PSMN034-100BS,118
- PSMN038-100YLX
- PSMN039-100YS,115
- PSMN041-80YLX
- PSMN050-80BS,118
- PSMN057-200P,127
- PSMN063-150D,118
- PSMN0R9-30ULDX
- PSMN1R0-25YLDX
- PSMN1R0-40SSHJ