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PSMN015-100YLX
1个N沟道 耐压:100V 电流:69A
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- 描述
- 逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56 (Power SO8)。该产品设计用于广泛的电源和电机控制设备。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN015-100YLX
- 商品编号
- C547348
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.139nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 213pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
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