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PSMN018-100PSFQ
PSMN018-100PSFQ
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN018-100PSFQ
- 商品编号
- C553197
- 商品封装
- SOT-78
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.482nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NextPower 100 V 标准电平栅极驱动 MOSFET。可在 175°C 环境下正常工作，适用于工业和消费类应用。
商品特性
- 针对快速开关、低尖峰和高效率进行优化
- 低 QG × RDSon 品质因数,适用于高效开关应用
- 低体二极管损耗(Qrr)和快速恢复(trr)
- 强雪崩能量额定值(EAS)
- 雪崩额定且经过 100% 测试
- 无卤且符合 RoHS 标准的 TO220 封装
应用领域
-交流转直流和直流转直流应用中的同步整流-有刷和无刷直流电机控制-不间断电源和太阳能逆变器-LED 照明-电池保护-全桥和半桥应用-反激式和谐振拓扑结构
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