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PSMN028-100YS,115
1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
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- 描述
- 标准级N沟道MOSFET，采用LFPAK封装，可在175℃环境下工作。该产品设计用于广泛的工业、通信和家用设备。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN028-100YS,115
- 商品编号
- C553205
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27.5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.634nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
优惠活动
购买数量
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