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PSMN022-30BL,118实物图
  • PSMN022-30BL,118商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN022-30BL,118

1个N沟道 耐压:30V 电流:30A

品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN022-30BL,118
商品编号
C553200
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))22.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)41W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.15V
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)447pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用D2PAK封装的逻辑电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。该产品经设计和认证,适用于广泛的工业、通信和家用设备。

商品特性

  • 低开关和传导损耗,效率高
  • 适用于逻辑电平栅极驱动源

应用领域

-直流-直流转换器-电机控制-负载开关-服务器电源

数据手册PDF