PSMN022-30BL,118
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN022-30BL,118
- 商品编号
- C553200
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 447pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用D2PAK封装的逻辑电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。该产品经设计和认证,适用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
- 低开关和传导损耗,效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
-直流-直流转换器-电机控制-负载开关-服务器电源
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