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PMZB1200UPEYL
1个P沟道 耐压:30V 电流:410mA
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMZB1200UPEYL
- 商品编号
- C547290
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V,410mA | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43.2pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
P沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚超小型DFN1006B-3 (SOT883B)表面贴装塑料封装中。
商品特性
- Trench MOSFET 技术
- 低阈值电压
- 非常快速的开关
- 静电放电 (ESD) 保护 > 2 kV HBM
- 超薄封装高度为 0.37 mm
应用领域
- 继电器驱动
- 高速线路驱动
- 高边负载开关
- 开关电路
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个10000个/圆盘
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