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PMXB65UPEZ
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.2A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMXB65UPEZ
- 商品编号
- C547276
- 商品封装
- DFN1010D-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 317mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 680mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 634pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无引脚超小型 DFN1010D - 3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 沟槽 MOSFET 技术
- 无引脚超小超薄 SMD 塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
- 静电放电 (ESD) 保护 1.5 kV HBM
- 漏源导通电阻 RDSon = 59 mΩ
- 极低的栅源阈值电压,适用于便携式应用 VGS(th) = -0.68 V
应用领域
- 便携式设备的高端负载开关和充电开关
- 电池供电便携式设备的电源管理
- LED 驱动器
- DC - DC 转换器