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PMXB65ENEZ
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMXB65ENEZ
- 商品编号
- C547275
- 商品封装
- SOT1215
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010D - 3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 无引脚超小超薄SMD塑料封装：1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
- 静电放电（ESD）保护1 kV
- 极低的漏源导通电阻RDSon = 44 mΩ
应用领域
- 便携式设备的低端负载开关和充电开关-电池供电便携式设备的电源管理-LED驱动器-DC-DC转换器