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PMZ1000UN,315
1个N沟道 耐压:30V 电流:480mA
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- 描述
- 标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS技术封装在塑料外壳中。该产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计和认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMZ1000UN,315
- 商品编号
- C547278
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01332克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 480mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 890pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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