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PMV48XPAR
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装在小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV48XPAR
- 商品编号
- C547258
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 930mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
-逻辑电平兼容-沟槽MOSFET技术-开关速度极快-通过AEC-Q101认证
应用领域
-高端负载开关-高速线路驱动器-继电器驱动器-开关电路