温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV65XPER
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.3A
- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV65XPER
- 商品编号
- C547266
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 890mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 618pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 极快的开关速度
- 增强的功率耗散能力：P_tot = 890 mW
- 2 kV HBM静电放电（ESD）保护
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路