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PMV27UPEAR
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV27UPEAR
- 商品编号
- C553088
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW；4.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 增强的功耗能力:P\text tot = 980 mW
- 2 kV人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-LED驱动器-电源管理-高端负载开关-开关电路