PMPB25ENEX
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB25ENEX
- 商品编号
- C553036
- 商品封装
- DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 607pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 镀锡 100% 可焊侧焊盘,便于光学焊接检查
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV 人体模型(HBM)
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路