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PMPB12UNEAX
1个N沟道 耐压:20V 电流:7.9A
- 描述
- N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB12UNEAX
- 商品编号
- C553017
- 商品封装
- DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W；12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- 可侧面焊锡浸润,便于光学焊锡检测
- 静电放电(ESD)保护>500 V HBM(H1B类)
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路