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PMPB100XPEAX
20V，P沟道沟槽MOSFET
- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无铅中功率DFN2020MD-6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB100XPEAX
- 商品编号
- C553011
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 122mΩ@4.5V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 388pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175°C
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 × 2 × 0.65 mm
- 镀锡100%可焊侧焊盘，便于光学焊锡检查
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路