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PMN40ENAX
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.2A
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT457 (SC- 74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN40ENAX
- 商品编号
- C552982
- 商品封装
- SOT-457
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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