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PMN48XP,115
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN48XP,115
- 商品编号
- C552986
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 530mW；6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低导通电阻（RDSon）
- 沟槽MOSFET技术
- 极快的开关速度
应用领域
- 继电器驱动器
- 高端负载开关
- 高速线路驱动器
- 开关电路