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PMH950UPEH
P沟道沟槽式MOSFET
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅超小型DFN0606-3 (SOT8001) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMH950UPEH
- 商品编号
- C552957
- 商品封装
- DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.080333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 530mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.3pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN0606-3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 >1 kV HBM
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装：0.62 × 0.62 × 0.37 mm
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路