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PMN120ENEAX
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT457（SC-74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN120ENEAX
- 商品编号
- C552965
- 商品封装
- SOT-457
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 123mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 670mW；7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，封装为小型 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围 Tj = 175°C
- 沟槽 MOSFET 技术
- 静电放电 (ESD) 保护 >2 kV HBM(H2 级)
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路