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PMN16XNEX
1个N沟道 耐压:20V 电流:9.1A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于小型SOT457（SC-74）表面贴装塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN16XNEX
- 商品编号
- C552966
- 商品封装
- SOT-457
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V,6.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.136nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于小型SOT457（SC-74）表面贴装塑料封装中。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 增强的功率耗散能力，达1400 mW
- 静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM
应用领域
- LED驱动器
- 电源管理
- 低边负载开关
- 开关电路
优惠活动
购买数量
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