温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMDXB1200UPEZ
2个P沟道 耐压:30V 电流:410mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚超小型DFN1010B-6（SOT1216）表面贴装塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDXB1200UPEZ
- 商品编号
- C552762
- 商品封装
- SOT1216
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V,410mA | |
| 耗散功率(Pd) | 285mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43.2pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚超小型DFN1010B-6（SOT1216）表面贴装塑料封装中。
应用领域
- 继电器驱动
- 高速线路驱动
- 高边负载开关
- 开关电路