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PMDXB600UNEZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
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- 描述
- 双N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小DEN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDXB600UNEZ
- 商品编号
- C552764
- 商品封装
- DFN1010-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 265mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010B - 6（SOT1216）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
- 静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM
- 漏源导通电阻RDSon = 470 mΩ
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路